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2021-04-29
主要特性：額定輸出電壓：40V/80V/160V額定輸出功率：360W/720W/1080W寬范圍輸出，上升下降斜率可調(diào)CV/CC優(yōu)先，尤其適用于電池和LED產(chǎn)業(yè)可配置三通道時(shí)序輸出170°寬視角OLED屏，遠(yuǎn)程網(wǎng)頁(yè)控制多組合輸出SPS5000X系列包含多種輸出電壓（40V,80V,160V）和電流組合（7.5A~90A），額定輸出功率包含360W,720W,1080W。單通道型號(hào)可支持最多2臺(tái)串聯(lián)，3臺(tái)并聯(lián)，雙通道和三通道型號(hào)也可以支持通道間的串并聯(lián)。寬范圍輸出區(qū)別于傳統(tǒng)電...2021-04-26
主要特性帶寬：350MHz,500MHz,1GHz垂直分辨率：12-bit（H12）/10-bit（H10）低本底噪聲：在1GHz全帶寬下低至125μVrms實(shí)時(shí)采樣率：5GSa/s存儲(chǔ)深度：250Mpts波形刷新率：750,000wfm/s（Sequence模式）產(chǎn)品介紹高分辨率示波器，滿足更高精度的測(cè)試需求·12-bit高分辨率采樣，更好地呈現(xiàn)波形細(xì)節(jié)；·本底噪聲性能，在1GHz全帶寬下的底噪值僅為125μVrms，讓12-bitADC充分發(fā)揮性能；·典型值0.5%的直流...2021-04-26
SDS6034H12Pro高分辨率數(shù)字示波器主要特性帶寬：350MHz,500MHz,1GHz垂直分辨率：12-bit（H12）/10-bit（H10）低本底噪聲：在1GHz全帶寬下低至125μVrms實(shí)時(shí)采樣率：5GSa/s存儲(chǔ)深度：250Mpts波形刷新率：750,000wfm/s（Sequence模式）產(chǎn)品介紹高分辨率示波器，滿足更高精度的測(cè)試需求·12-bit高分辨率采樣，更好地呈現(xiàn)波形細(xì)節(jié)；·本底噪聲性能，在1GHz全帶寬下的底噪值僅為125μVrms，讓12-bi...2021-04-26
SDS6054H12Pro高分辨率數(shù)字示波器主要特性帶寬：350MHz,500MHz,1GHz垂直分辨率：12-bit（H12）/10-bit（H10）低本底噪聲：在1GHz全帶寬下低至125μVrms實(shí)時(shí)采樣率：5GSa/s存儲(chǔ)深度：250Mpts波形刷新率：750,000wfm/s（Sequence模式）產(chǎn)品介紹高分辨率示波器，滿足更高精度的測(cè)試需求·12-bit高分辨率采樣，更好地呈現(xiàn)波形細(xì)節(jié)；·本底噪聲性能，在1GHz全帶寬下的底噪值僅為125μVrms，讓12-bi...2021-04-26
SDS6104H12Pro高分辨率數(shù)字示波器主要特性帶寬：350MHz,500MHz,1GHz垂直分辨率：12-bit（H12）/10-bit（H10）低本底噪聲：在1GHz全帶寬下低至125μVrms實(shí)時(shí)采樣率：5GSa/s存儲(chǔ)深度：250Mpts波形刷新率：750,000wfm/s（Sequence模式）產(chǎn)品介紹高分辨率示波器，滿足更高精度的測(cè)試需求·12-bit高分辨率采樣，更好地呈現(xiàn)波形細(xì)節(jié)；·本底噪聲性能，在1GHz全帶寬下的底噪值僅為125μVrms，讓12-bi...2021-04-23
本文重點(diǎn)介紹近些年微波電路設(shè)計(jì)取得的進(jìn)步，這意味著現(xiàn)在采用硅芯片技術(shù)中的低相位噪聲VCO可以覆蓋一個(gè)倍頻程范圍多年來(lái)，微波頻率生成使工程師面臨嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，不僅需要對(duì)模擬、數(shù)字、射頻(RF)和微波電子有深入的了解，尤其是鎖相環(huán)(PLL)和壓控振蕩器(VCO)集成電路組件方面，還需要具備可調(diào)濾波、寬帶放大以及增益均衡等專業(yè)知識(shí)。本文重點(diǎn)介紹近些年微波電路設(shè)計(jì)取得的進(jìn)步，這意味著現(xiàn)在采用硅芯片技術(shù)中的低相位噪聲VCO可以覆蓋一個(gè)倍頻程范圍。在這樣的IC上集成輸出分頻器可以支持幾個(gè)低...2021-04-23
對(duì)性能、小型化和更高頻率的需求，正挑戰(zhàn)無(wú)線系統(tǒng)中兩個(gè)關(guān)鍵天線連接元器件的限制：功率放大器(PA)和低噪聲放大器(LNA)。5G的發(fā)展以及PA和LNA在微波無(wú)線電鏈路、VSAT（衛(wèi)星通信系統(tǒng)）和相控陣?yán)走_(dá)系統(tǒng)中的使用正促成這種轉(zhuǎn)變。這些應(yīng)用的要求包括較低噪聲（對(duì)于LNA）和較高能效（對(duì)于PA）以及在高達(dá)或高于10GHz的較高頻率下的運(yùn)行。為了滿足這些日益增長(zhǎng)的需求，LNA和PA制造商正在從傳統(tǒng)的全硅工藝轉(zhuǎn)向用于LNA的砷化鎵(GaAs)和用于PA的氮化鎵(GaN)。本文將介紹L...